题目要点拆解
- 用红外干涉法测量半导体外延层厚度：外延层与衬底折射率不同，两束反射光干涉形成条纹，要由「波数—反射率」光谱反推出厚度。
- 三问：① 只考虑外延层/衬底界面一次反射与透射的情形，建立厚度模型 ② 设计算法，对附件给出的碳化硅晶圆实测数据（入射角 10° 与 15°）算出厚度并分析结果可靠性 ③ 推导多光束干涉的必要条件，判断硅片数据是否出现多光束干涉、给出相应模型与算法，并设法消除多光束干涉对碳化硅厚度计算精度的影响。
- 难点在于折射率并非常数（与掺杂载流子浓度、波长都有关），以及干涉级次的判定与多光束效应的修正——属于「物理机理 + 信号处理 + 误差分析」的题。
数据与附件说明
4 个附件：碳化硅与硅晶圆在 10°、15° 两个入射角下的光谱实测数据（波数、反射率）。题目在官方赛题包中的位置：B题/B题.pdf。
以上为团队整理的审题要点，不能代替官方题面。